ფიზიკოსებმა ახალი, "უნივერსალური ოპერატიული მეხსიერების" პროტოტიპი წარადგინეს
ლანკასტერის უნივერსიტეტის ფიზიკოსების მიერ შექმნილმა პროტოტიპმა, შესაძლოა, კომპიუტერული სამყარო თავდაყირა დააყენოს. ამ სიახლეს შეუძლია რადიკალურად შეცვალოს სმარტფონებისა და სხვა გაჯეტების მუშაობის პრინციპი.
"უნივერსალური მეხსიერება" — ასე უწოდებენ ფიზიკოსები ახალ ტექნოლოგიას, რომლის სახელიც მისავე შესაძლებლობებს ზუსტად აღწერს.
დღეისათვის ორი ძირითადი ტიპის მეხსიერება არსებობს, რამი (DRAM) და ფლეში. ამ ორივე ტიპს კი განსხვავებული მახასიათებლები აქვთ.
ოპერატიული მეხსიერება (DRAM) სწრაფია, მაგრამ არასტაბილური, ინფორმაციის შესანარჩუნებლად მას ენერგიის მიწოდება მუდმივად ესაჭიროება.
ფლეშ მეხსიერება ენერგოდამოუკიდებელია, ამიტომ შეგვიძლია ჩვენი ფაილები თუ სხვა ინფორმაცია მუდმივად შევინახოთ მასზე და, სულაც, თან ვატაროთ, მაგრამ მისი სისწრაფე ბევრად ჩამორჩება ოპერატიული მეხსიერებისას, სწორედ ის აქტიურ მეხსიერებად ამ დრომდე არ გამოიყენებოდა.
მარტივად რომ ვთქვათ, DRAM მოკლევადიანი მეხსიერებაა, რომელსაც კომპიუტერი, ან რაიმე სხვა მოწყობილობა უშუალოდ მუშაობის პროცესში იყენებს. ფლეშ მეხსიერება კი ინფორმაციის ხანგრძლივი შენახვისთვის გამოიყენება, მისი კარგი მაგალითი SSD-ია.
ჟურნალ IEEE Transactions on Electron Devices-ის იანვრის ნომერში გამოქვეყნდა სტატია, სადაც ახსნილი იყო, როგორ შეიძლება დამოუკიდებელი მეხსიერების ბლოკების მწყობრად შეერთება ოპერატიული მეხსიერების მისაღებად. ავტორები ვარაუდობენ, რომ ასეთი ჩიპები სისწრაფით ოპერატიულ მეხსიერებას გაუტოლდება, თუმცა ის მათზე 100-ჯერ უფრო ეკონომიური იქნება. თანაც ის ინფორმაციის გრძელვადიანი შენახვისთვისაც გამოსადეგი იქნება.
ამ ახალ სტატიკურ ოპერატიული მეხსიერებას ULTRARAM ეწოდება და ის უნივერსალური მეხსიერების რეალურ პროტოტიპს წარმოადგენს. მასში ყველა ის პლიუსია თავმოყრილი, რაც დამოუკიდებლად რამსა და "ფლეშს" გააჩნიათ.
"მიღებული შედეგები ძალიან დიდი წინსვლაა, ახლა უკვე შესაძლებელია იმის დანახვა, თუ როგორ უნდა მოხდეს ULTRARAM მეხსიერების მოწყობილობებში დანერგვა", — აცხადებს კვლევის ხელმძღვანელი, პროფესორი მანუს ჰაინე.
ლანკასტერის მკვლევართა ჯგუფმა უნივერსალური მეხსიერების პარადოქსი კვანტურ-მექანიკური რეზონანს-ხვრელური ეფექტის გამოყენებით გადაჭრა, — ინჟინრებმა შეძლეს ელექტრული დენის გამოყენებით გაუმჭვირვალე ბარიერი გამჭვირვალედ სურვილისამებრ ექციათ, ამან კი უნივერსალური მეხსიერების ჩიპის შექმნა შესაძლებელი გახადა.
ამჟამად ინჟინრები მეხსიერების ბარათების წარმოების პრაქტიკის შემუშავებასა და მის დახვეწაზე მუშაობენ.
კომენტარები