IBM-მა და Samsung-მა ნახევარგამტარების ინდუსტრიაში წინ ძალიან დიდი ნაბიჯი გადადგეს. ტექნოლოგიურმა გიგანტებმა შეიმუშავეს ჩიპზე ტრანზისტორების განლაგების ახალი, ვერტიკალური მეთოდი. სტანდარტულად ტრანზისტორები ნახევარგამტარის ზედაპირზე ბრტყლად არის ხოლმე განთავსებული.

ახალი Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) დიზაინი ამჟამინდელ FinFET ტექნოლოგიასთან შედარებით ნახევარგამტარზე ბევრად მეტი ტრანზისტორის განთავსების საშუალებას მოგვცემს. მიკქროსქემების უდიდეს ნაწილში ამჟამად ტრანზისტორები ჰორიზონტალურად, ერთმანეთის გვერდიგვერდაა განლაგებული, ახალი კონსტრუქციით დამზადებულ ჩიპებში ტრანზისტორები ვერტიკალურად განთავსდება და ძაბვას ზევით-ქვევით მოძრაობის საშუალება ექნება.

ნახევარგამტარებისთვის ვერტიკალურ დიზაინზე ინტელიც მუშაობს, თუმცა მათი ტექნოლოგია მიკროსქემის სხვადასხვა კომპონენტის გაერთიანებაზეა კონცენტრირებული და არა თითოეულ ტრანზისტორზე. რეალურად ინტელის იდეაც საკმაოდ კარგად ჟღერს. თუ ერთ სიბრტყეზე ტრანზისტორების განსათავსებელი ადგილი აღარ რჩება,

VTFET დიზაინის მასიურ წარმოებაში დანერგვამდე ჯერ კიდევ დიდი დროა, თუმცა Intel-იცა და IBM-იც ამტკიცებენ, რომ VTFET ჩიპებს გაორმაგებული წარმადობა ექნებათ და ამასთანავე 85%-ით უფრო ენერგოეფექტურებიც იქნებიან.

IBM-სა და Samsung-ს VTFET დიზაინთან დაკავშირებით ამბიციური გეგმები აქვთ. მათი აზრით, ახალი ტექნოლოგიით დამზადებული ელემენტები სმარტფონებს ერთი დატენვით მთელი კვირაც კი აცოცხლებს. ასევე, ახალი ჩიპების დახმარებით შესაძლოა კრიპტოვალუტების მაინინგი გაცილებით ენერგოეფექტური გახდეს.

თუ სტატიაში განხილული თემა და ტექნოლოგიების სფერო შენთვის საინტერესოა, შემოგვიერთდი ჯგუფში, სადაც ვლაპარაკობთ ტექნოლოგიებზე.